San Diego, CA – 4 de Junio 2018 –StratEdge Corporation, líder en el diseño, producción y ensamble de paquetes de semiconductores de alto rendimiento para microondas, ondas milimétricas y dispositivos digitales de alta velocidad, presentará su nueva línea de paquetes que satisfacen las extremosas exigencias de dispositivos de nitruro de galio (GaN) y arseniuro de galio (GaAs) en el Simposio Internacional de Microondas 2018. Los paquetes de StratEdge satisfacen lo críticos requerimientos de los mercados de telecomunicaciones, señal mixta, VSAT, banda ancha inalámbrica, satélite, militar prueba y medición, automotriz, de perforación y MEMS.
StratEdge exhibirá su línea completa de paquetes de semiconductores de cerámica moldeada y post-horneada que operan de DC a más de 63 GHz. Estos paquetes tienen diseños de transición eléctrica que asegura de manera excepcional bajas pérdidas eléctricas y operan eficientemente, aún a las más altas frecuencias. Todos los paquetes son libres-de-plomo y la mayoría cumplen con los estándares RoHS y WEEE. Además, StratEdge ofrece servicios completos de ensamble y prueba automatizados para estos paquetes, incluyendo unión de dado con soldadura oro-estaño.“IMS es la reunión preeminente de partes interesadas en el campo de RF, microondas y, tecnologías de ondas milimétricas,” dijo Tim Going, presidente de StratEdge. “5G y su infraestructura de alta potencia, la Internet de las Cosas y, las avanzadas tecnologías de celular que requieren frecuencias de microondas y RF harán crítica la selección del paquete. IMS es una gran oportunidad para que los involucrados visiten nuestro stand y discutan sus requerimientos de empaquetado.”
StratEdge estará exhibiendo en el stand1649, en IMS2018, en Junio 12-14 2018 en el Centro de Convenciones de Pensilvania, Filadelfia, Pensilvania.
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